A : Génie électrique - Micro-électronique
- Cours (CM) 14h
- Cours intégrés (CI) -
- Travaux dirigés (TD) 14h
- Travaux pratiques (TP) -
- Travail étudiant (TE) 30h
Langue de l'enseignement : Français
Description du contenu de l'enseignement
Le cours se décline en 3 grandes parties :
- Partie 1 : Bases de physiques des semi-conducteurs et de technologie de fabrication des circuits intégrés. Principe de fonctionnement du transistor MOS :
- Partie 2 : Intégration de fonctions analogiques de base : miroir de courant, étage de gain, étage différentiel. Pré-dimensionnent d’un étage en fonction des performances visées ;
- Partie 3 : Intégration de fonctions numériques de base : algèbre de Boole, architecture des portes standard (NAND, NOR, Bascule D…), introduction aux circuits numériques séquentiels.
Compétences à acquérir
1. Disciplinaires
2. Transversales
- Savoir expliquer et décrire les grandes étapes de fabrication d’un circuit intégré
- Savoir expliquer les concepts physiques en lien avec le transport de charges dans les semi-conducteurs
- Savoir expliquer le fonctionnement d’un transistor MOS
- Savoir dimensionner un circuit analogique simple vis-à-vis de ses caractéristiques statiques
- Savoir expliuer l’architecture de base d’un amplificateur opérationnel à deux étages
- Savoir expliquer le fonctionnement d’une porte logique de base (NAND, NOR, AND, Bascule D)
- Savoir synthétiser une porte logique CMOS
- Savoir synthétiser un circuit combinatoire et un circuit séquentiel simples
- Savoir expliquer le principe de fonctionnement un micro-processeur
2. Transversales
- Savoir organiser et planifier son travail de manière autonome
Contact
Faculté de physique et ingénierie
3-5, rue de l'Université67084 STRASBOURG CEDEX
Formulaire de contact
Responsable
Luc Hebrard
Intervenants
Luc Hebrard
